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东芝车载直流电机驱动器IC样品发货 将于2019年12月开始批量生产

日期:2019-02-25 08:35

  电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布已开始了“TB9058FNG”样品的发货。“TB9058FNG”是一种具备LIN(局域互联网络)从属功能的车载直流IC,能与车载网络的LIN 2.0主IC通信。这款全新IC适用于使用0.3 A输出

  该新IC通过外部LIN总线接收电机转动目标的位置数据,然后驱动电机至目标位置。

  因为这款IC具有H桥电机驱动器的硬件逻辑和带增强校验和[1]的LIN通信功能,所以无需软件开发。它能够检测过压、过流和过温,防止异常工作状况。

  该新IC的工作温度范围是-40到125℃,符合汽车应用要求并将通过AEC-Q100认证。

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  和特点 P1dB输出功率: +18.5 dBm 增益: 20 dB 输出IP3: +42 dBm 级联50Ω I/O 单电源: +5V 工业标准SOT89封装 鲁棒的1000V ESD,1C类 整个温度范围内电流稳定 有源偏置网络 产品详情 HMC741是一款InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC SMT放大器,工作频率范围为0.05至3 GHz。 该放大器采用业界标准SOT89封装,可用作级联50 Ω RF或IF增益级,也可用作PA或LO驱动器,输出功率高达+18.5 dBm。 200 MHz时,HMC741具有20 dB的增益和+42 dBm的输出IP3,并可直接采用+5V电源供电。 HMC741在整个温度范围内具有出色的增益和输出功率稳定性,同时只需极少的外部偏置元件。 应用 蜂窝/3G和WiMAX/4G 固定无线和WLAN CATV、电缆调制解调器和DBS 微波无线电和测试设备 IF和RF应用 方框图...

  和特点 P1dB输出功率: +18 dBm 增益: 15 dB 输出IP3: +40 dBm 级联50Ω I/O 单电源: +5V 工业标准SOT89封装 鲁棒的1000V ESD,1C类 整个温度范围内电流稳定 有源偏置网络 产品详情 HMC740是一款InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC SMT放大器,工作频率范围为0.05至3 GHz。 该放大器采用业界标准SOT89封装,可用作级联50 Ω RF或IF增益级,也可用作PA或LO驱动器,输出功率高达+18 dBm。 100 MHz时,HMC740具有15 dB的增益和+40 dBm的输出IP3,并可直接采用+5V电源供电。 HMC740在整个温度范围内具有出色的增益和输出功率稳定性,同时只需极少的外部偏置元件。 应用 蜂窝/3G和WiMAX/4G 固定无线和WLAN CATV、电缆调制解调器和DBS 微波无线电和测试设备 IF和RF应用 方框图...

  和特点 高输出IP3: +42 dBm 高输出P1dB: +25 dBm 高增益: 18 dB 单电源: +5V PAE为45%(Pout为+25 dBm时) 业界标准SOT89封装 产品详情 HMC789ST89E是一款高线性度GaAs InGaP HBT增益模块MMIC,工作频率范围为0.7至2.8 GHz,采用业界标准SOT89封装。 该放大器仅使用极小数量的外部元件和+5V单电源工作,其输出IP3可以优化为+45 dBm。 高输出IP3和高增益使HMC789ST89E非常适合蜂窝/4G和固定无线环境下的PA驱动器和前置驱动器应用。 应用 蜂窝/4G 固定无线和WLAN 有线电视、电缆调制解调器和数字广播卫星 微波无线电和测试设备 IF和RF应用 方框图...

  和特点 无源双平衡拓扑结构 高LO/RF隔离: 48 dB 低转换损耗: 7 dB 宽IF带宽: DC - 5 GHz 强劲的1 kV ESD保护,1C类 密封模块产品详情 HMC-C049是一款双平衡混频器,在7至14 GHz的频率下工作,提供低转换损耗、高隔离和宽IF带宽。 这款混频器不需要直流偏置,可在+9 dBm的LO功率水平下工作。 封装采用密封模块,其装配和测试符合MIL-883-STD要求。 该产品的标准配置包括三个可现场更换的SMA插口连接器,还可与SMP盲插连接器互换,或者可以拆卸,以便将I/O引脚直接连接到微带或共面电路。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 测试设备和传感器 军用最终用途 方框图...

  和特点 增益:14 dB(典型值) 工作频率范围:0.01 GHz至10 GHz 输入/输出内部匹配至50 Ω 高输入线 dBm(典型值)o输出三阶交调截点(IP3):33 dBm(典型值) 电源电压:5 V(典型值) 2 mm × 2 mm、6引脚引脚架构芯片级封装 HMC788A-EP支持防务和航空航天应用(AQEC标准) 下载HMC788A-EP数据手册(pdf) 扩展工业温度范围:-55°C至+105°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 产品详情 HMC788A是一款0.01 GHz至10 GHz、增益模块、单芯片微波集成电路(MMIC)放大器,采用砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)技术制造。 此款2 mm × 2 mm LFCSP放大器可用作级联50Ω增益级,或用于驱动输出功率高达20 dBm的许多ADI公司单平衡和双平衡混频器的本振(LO)端口。 HMC788A提供14 dB的增益,33 dBm的输出IP3,且采用5 V电源时功耗仅76 mA。达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度,提供出色的温度增益稳定性,只需极少的外部偏置元件。应用 蜂窝、3G、LTE、WiMAX和4G LO驱动器应用 微波无线电 测试和测...

  和特点 低噪声系数:1.1 dB(典型值) 高增益:19.5 dB(典型值) 高输出三阶交调截点(IP3):33 dBm(典型值) 裸片尺寸:0.95 mm × 0.61 × 0.102 mm 产品详情 HMC8410CHIPS是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、低噪声宽带放大器,工作频率范围为0.01 GHz至10 GHz。HMC8410CHIPS提供19.5 dB典型增益、1.1 dB典型噪声系数和33 dBm典型输出IP3,采用5 V电源电压时功耗仅为65 mA。22.5 dBm的饱和输出功率(PSAT)使低噪声放大器(LNA)可用作ADI公司许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。HMC8410CHIPS还具有输入/输出(I/O),内部匹配50 Ω,非常适合基于表贴技术(SMT)的高容量微波无线电应用。应用 软件定义无线电 电子战 雷达应用 方框图...

  和特点 低RMS相位误差: 2.8° 低插入损耗:5 dB 高线 dBm 正控制逻辑 360°覆盖, LSB = 5.625° 32引脚5x5mm SMT封装25:mm2产品详情 HMC1133LP5E是一款6位数字移相器,额定频率范围为4.0至7 GHz,提供360度相位覆盖,LSB为5.625度。 HMC1133LP5E在所有相态具有2.8度的极低RMS相位误差及±0.4 dB的极低插入损耗变化。 此款高精度移相器通过0/+5V的正控制逻辑控制。HMC1133LP5E采用紧凑型5x5 mm塑料无引脚SMT封装,内部匹配50 Ohms,无需任何外部元件。 应用 EW接收器 气象和军用雷达 卫星通信 波束成形模块 相位抵消方框图...

  和特点 针对1 dB压缩(P1dB)的输出功率:16.5 dBm(典型值) 饱和输出功率(PSAT):19 dBm(典型值) 增益:14.5 dB(典型值) 噪声系数:1.5 dB 输出三阶交调截点(IP3):26 dBm(典型值) 电源电压:7.5 V (60 mA) 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸:2.55 mm × 1.5 mm × 0.05 mm 产品详情 HMC8401是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)。HMC8401是一款宽带低噪声放大器,工作频率范围为DC至28 GHz.该放大器提供14.5 dB增益、1.5 dB噪声系数、26 dBm输出IP3和16.5 dBm输出功率(1 dB增益压缩),同时功耗为60 mA(采用7.5 V电源时)。HMC8401还具有增益控制选项VGG2。HMC8401放大器输入/输出内部匹配50 Ω,可方便地集成至多芯片模块(MCM)。所有数据均由通过最短0.31 mm (12 mils)的两条0.025 mm (1 mil)线焊连接的芯片获取。应用 测试仪器仪表 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT) 军事与航天 电信基础设施 光纤产品 方框图...

  和特点 针对1 dB压缩(P1dB)的输出功率:21.5 dBm(典型值) 饱和输出功率(PSAT):22 dBm(典型值) 增益:13.5 dB(典型值) 噪声系数:2 dB 输出三阶交调截点(IP3):26 dBm(典型值) 电源电压:7 V (68 mA) 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸:2.7 mm × 1.35 mm × 0.05 mm 产品详情 HMC8402是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)、低噪声放大器,工作频率范围为2 GHz至30 GHz。该放大器提供13.5 dB增益、2 dB噪声系数、26 dBm输出IP3和21.5 dBm输出功率(1 dB增益压缩),同时功耗为68 mA(采用7 V电源时)。HMC8402仅采用单正电源供电时具有自偏置以实现68 mA的漏极电流IDQ。HMC8402放大器输入/输出内部匹配50 Ω,可方便地集成至多芯片模块(MCM)。所有数据均由通过最短0.31 mm (12 mils)的两条0.025 mm (1 mil)线焊连接的芯片获取。应用 测试仪器仪表 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT) 军事与航天 电信基础设施 光纤产品 方框图...

  和特点 低RMS相位误差:4° 低插入损耗:6.5 dB 出色的平坦度 360°覆盖,LSB = 22.5° 24引脚陶瓷SMT封装:16mm2产品详情 HMC543ALC4B是一款4位数字移相器,额定工作频率范围为8至12 GHz,提供0至360度的相位覆盖,具有22.5度的LSB。HMC543ALC4B在所有相态具有4度的极低RMS相位误差及±0.8 dB的极低插入损耗变化。这种高精度移相器由0/-3V互补逻辑控制,无需固定偏置电压。HMC543ALC4B采用紧凑型4x4 mm陶瓷无引脚SMT封装,内部匹配至50 Ω,无需任何外部元件。简单的外部电平转换电路可用于将CMOS正控制电压转换为互补负控制信号。应用 EW接收器 气象和军用雷达 卫星通信 波束成形模块方框图...

  和特点 针对1 dB压缩(P1dB)的输出功率:16 dBm(典型值) 饱和输出功率(PSAT):19.5 dBm(典型值) 增益:15 dB(典型值) 噪声系数:2.0 dB(典型值) 输出三阶交调截点(IP3):26 dBm(典型值) 电源电压:5 V (64 mA) 50 Ω匹配输入/输出 产品详情 HMC7950是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)。HMC7950是一款宽带低噪声放大器,工作频率范围为2 GHz至28 GHz。该放大器通常提供15 dB增益、2.0 dB噪声系数、26 dBm输出IP3和16 dBm输出功率(1 dB增益压缩),功耗为64 mA(采用5 V电源时)。HMC7950仅采用单正电源供电时具有自偏置以实现64 mA的漏极电流IDD。HMC7950还具有增益控制选项VGG2。HMC7950放大器输入/输出内部匹配50 Ω,并经过隔直。它采用6 mm × 6 mm、16引脚LCC SMT陶瓷封装,易于处理和组装。应用 测试仪器仪表 军事与航天 方框图...

  和特点 噪声系数: 2.5 dB 增益: 25 dB P1dB输出功率:+13 dBm 电源电压:+3V (70 mA) 输出IP3:+26 dBm 50 Ω匹配输入/输出 24引脚4x4mm SMT封装: 16mm² 产品详情 HMC752是一款GaAs MMIC低噪声宽带放大器,采用无引脚4x4 mm陶瓷表贴封装。 该放大器的工作频率范围为24至28 GHz,提供高达25 dB的小信号增益、2.5 dB噪声系数及+26 dBm输出IP3,同时采用+3V电源的功耗仅70 mA。 高达+13 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作平衡、I/Q或镜像抑制混频器的LO驱动器。 HMC752还具有隔直的I/O,内部匹配50 Ohms,因而非常适合高容量微波无线电或VSAT应用。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 军事和太空 测试仪器仪表 方框图...

  和特点 低噪声系数:1.1 dB(典型值) 高增益:19.5 dB(典型值) 高输出三阶交调截点(IP3):33 dBm(典型值) 6引脚、2 mm × 2 mm LFCSP封装 产品详情 HMC8410是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带放大器,工作频率范围为0.01 GHz至10 GHz。HMC8410提供19.5 dB典型增益、1.1 dB典型噪声系数和33 dBm典型输出IP3,采用5 V电源电压时功耗仅为65 mA。高达22.5 dBm的饱和输出功率(PSAT) 使低噪声放大器(LNA)可用作许多ADI公司平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。HMC8410还具有输入/输出(I/O),内部匹配50 Ω,非常适合基于表贴技术(SMT)的高容量微波无线采用符合RoHS标准的2 mm × 2 mm、LFCSP封装。多功能引脚名称可能仅通过相关功能来引用。应用 测试仪器仪表 点对点无线电 点对多点无线电方框图...

  和特点 Pout:+4.7 dBm 相位噪声: -112 dBc/Hz (100 KHz) 无需外部谐振器 单电源: 3V (41 mA) 50 Ω匹配和隔直RF I/O OFN无铅SMT封装,16mm² 产品详情 HMC389LP4和HMC389LP4E是GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO,集成谐振器、负电阻器件、变容二极管和缓冲放大器。 由于振荡器的单芯片结构,VCO的相位噪声性能在温度、冲击、振动和工艺范围内尤为出色,工作频率范围为3.35至3.55 GHz。 采用3V单电源(41mA)时,输出功率为4.7 dBm(典型值)。 该电压控制振荡器采用低成本无铅QFN 4x4 mm表面贴装封装。 应用 无线本地环路(WLL) VSAT和微波无线电 测试设备和工业控制 军事方框图...

  和特点 双输出频率范围 fOUT = 12.47 GHz 至13.72z GH fOUT/2 = 6.235 GHz 至 6.86z GHz 输出功率(POUT): 10 dBm 单边带(SSB)相位噪声: -113 dBc/Hz (100 kHz) 无需外部谐振器 符合RoHS标准的5 mm x 5 mm、32引脚LFCSP封装: 25 mm² 产品详情 HMC1168是一款集成谐振器、负电阻器件和变容二极管的单芯片微波集成电路(MMIC)压控振荡器(VCO),具有半频输出。 由于振荡器采用单芯片结构,因而在温度范围内具有出色的输出功率和相位噪声性能 采用5 V电源电压时,输出功率为10 dBm(典型值)。 VCO采用符合RoHS标准的LFCSP封装,无需外部匹配元件。 应用 点到点和点到多点无线电 测试设备和工业控制 甚小孔径终端(VSAT) 方框图...

  和特点 双通道输出fOUT = 9.25 GHz至10.10 GHzfOUT/2 = 4.625 GHz至5.050 GHz 功率输出(POUT): 11 dBm(典型值) 单边带(SSB)相位噪声: -115 dBc/Hz (100 kHz) 无需外部谐振器 符合RoHS标准的5 mm x 5 mm LFCSP封装: 25 mm² 产品详情 HMC1162是一款集成谐振器、负电阻器件和变容二极管的单芯片微波集成电路(MMIC)压控振荡器(VCO),具有分频输出。 由于振荡器采用单芯片结构,因而在温度范围内具有出色的输出功率和相位噪声性能。 采用5 V电源电压时,功率输出为11 dBm(典型值)。 VCO采用符合RoHS标准的32引脚LFCSP封装,无需外部匹配元件。 应用 点到点和点到多点无线电 甚小孔径终端(VSAT) 方框图...

  和特点 双通道输出频率范围fOUT = 11.41 GHz至 12.62 GHzfOUT/2 = 5.705 GHz 至6.31 GHz 输出功率 (POUT): 11 dBm 单边带(SSB)相位噪声: -115 dBc/Hz (100 kHz) 无需外部谐振器 符合RoHS标准的5 mm x 5 mm、32引脚LFCSP封装: 25 mm2 产品详情 HMC1166是一款单芯片微波集成电路(MMIC)压控振荡器(VCO),集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管,具有半频输出。 由于振荡器采用单芯片结构,因而在温度范围内具有出色的输出功率和相位噪声性能。 采用5 V电源电压时,输出功率为11 dBm(典型值)。 VCO采用符合RoHS标准的LFCSP封装,无需外部匹配元件。 应用 点到点和点到多点无线电 测试设备和工业控制 甚小孔径终端(VSAT) 方框图...

  和特点 双通道输出频率范围:fOUT = 10.38 GHz to 11.30 GHzfOUT/2 = 5.19 GHz to 5.65 GHz 输出功率 (POUT): 8 dBm 单边带(SSB)相位噪声:−86 dBc/Hz(典型值,10 kHz),−114 dBc/Hz(典型值,100 kHz) 无需外部谐振器 32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP (25 mm²)封装,符合RoHS标准 产品详情 HMC1164是一款单芯片微波集成电路(MMIC)电压控制振荡器,集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管并具有半频输出。 由于振荡器的单芯片结构,输出功率和相位噪声性能在温度范围内尤为出色。 采用5 V电源电压时,输出功率为8 dBm(典型值)。 电压控制振荡器采用符合RoHS标准的LFCSP封装,无需外部匹配元件。应用 点对点和多点无线电 测试设备和工业控制 甚小孔径终端(VSAT) 方框图...

  和特点 双输出频率范围 fOUT = 8.71 GHz to 9.55 GHz  fOUT/2 = 4.355 GHz至4.775 GHz  输出功率 (POUT): 11 dBm  单边带(SSB)相位噪声: -115 dBc/Hz (100 kHz) 无需外部谐振器 符合RoHS标准的5 mm x 5 mm、32引脚LFCSP封装: 25 mm² 产品详情 HMC1161是一款集成谐振器、负电阻器件和变容二极管的单芯片微波集成电路(MMIC)压控振荡器(VCO),具有半频输出。 由于振荡器采用单芯片结构,因而在温度范围内具有出色的输出功率和相位噪声性能。 采用5 V电源电压时,输出功率为11 dBm(典型值)。 VCO采用符合RoHS标准的LFCSP封装,无需外部匹配元件。 应用 点到点和点到多点无线电 测试设备和工业控制 甚小孔径终端(VSAT) 方框图...

  和特点 双输出频率范围 fOUT = 9.65 GHz 至10.41 GHz fOUT/2 = 4.825 GHz 至5.205 GHz 输出功率(POUT):11 dBm 单边带(SSB)相位噪声:-114 dBc/Hz (100 kHz) 无需外部谐振器 符合RoHS标准的5 mm x 5 mm、32引脚LFCSP封装:25 mm²产品详情 HMC1163是一款集成谐振器、负电阻器件和变容二极管的单芯片微波集成电路(MMIC)压控振荡器(VCO),具有分频输出。由于振荡器采用单芯片结构,因而在温度范围内具有出色的输出功率和相位噪声性能。采用5 V电源电压时,输出功率为11 dBm(典型值)。VCO采用符合RoHS标准的LFCSP封装,无需外部匹配元件。应用 点到点和点到多点无线电 测试设备和工业控制 甚小孔径终端(VSAT)方框图...

  和特点 具集成型固定增益差分驱动器的 4 通道同时采样 ADC68.3dB SNR78dB SFDR低功率:1.27W (总值),318mW (每通道)1.8V ADC 内核及 3.3V 模拟输入电源串行 LVDS 输出:每通道 1 位或 2 位停机和打盹模式11.25mm x 15mm BGA 封装 产品详情 LTM®9012 是一款 4 通道、同时采样 14 位 μModule® 模数转换器 (ADC),具有集成型固定增益差分 ADC 驱动器。低噪声放大器适合单端驱动和脉冲串信号 (例如:成像应用)。每个通道在驱动器输出与 ADC 输入之间包括一个低通滤波器。DC 规格包括在整个温度范围内的 ±1.2LSB INL (典型值)、±0.3LSB DNL (典型值) 和无漏失码。转换噪声很低,仅为 1.2LSBRMS。数字输出为串行 LVDS,每个通道一次输出两个位 (“双线道” 模式)。在较低采样速率条件下提供了每个通道一次输出一个位的选项 (“单线道” 模式)。LVDS 驱动器具有任选的内部终端和可调的输出电平,以确保干净的信号完整性。可以利用一个正弦波、PECL、LVDS、TTL 或 CMOS 输入对 ENC+ 和 ENC– 输入进行差分或单端驱动。一个内部时钟占空比稳定器在全速和多种时钟占空比条件下实现了...

  和特点 高隔离度: 65 dB(最高6 GH频率下) 50 dB(最高18 GHz频率下) 低插入损耗: 2 dB (8 GHz) 2.8 dB (12 GHz) 快速开关: 3 ns的上升/下降时间 非反射式设计 密封模块 可现场更换的SMA连接器 工作温度范围为-55至+85 ℃ 产品详情 HMC-C058是一款通用的宽带高隔离度非反射式GaAs MESFET SPDT开关,封装在微型密封模块中,带有可现场更换的SMA连接器。 该开关频率范围为DC至18 GHz,具有高隔离和低插入损耗。 该开关在最高6 GHz频率下提供大于65 dB的隔离,在最高18 GHz频率下提供大于50 dB的隔离。 CMOS接口允许在很低直流电流条件下提供单个+5V偏置电压。 应用 光纤和宽带通信 微波无线电和VSAT 军用无线电、雷达和ECM 测试仪器仪表 方框图...

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